Detalles MARC
| 000 -CABECERA |
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| campo de control de longitud fija |
03356nam a2200361 i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
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| campo de control |
100063913 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
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| campo de control |
UVAL |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
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| campo de control |
20240507115042.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
ta |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
140103s2013 chl g 000 0 spa d |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
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| Centro catalogador/agencia de origen |
DIBRA |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
UVAL |
| Normas de descripción |
rda |
| 041 0# - CÓDIGO DE LENGUA |
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| Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente |
spa |
| 084 ## - OTRO NÚMERO DE CLASIFICACIÓN |
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| Número de clasificación |
M |
| 100 0# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
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| Nombre de persona |
Olavarría Milla, Roberto Eliseo, |
| Término indicativo de función/relación |
author. |
| 245 00 - MENCIÓN DE TÍTULO |
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| Título |
Estudio del crecimiento de películas de Óxido de Cinc dopado con las especies Aluminio, Indio y Galio sobre una superficie sólida conductora de FTO / |
| Mención de responsabilidad, etc. |
Roberto Eliseo Olavarría Milla. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
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| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Valparaíso, Chile : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Universidad de Valparaíso, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2013. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
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| Extensión |
50 hojas. |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
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| Fuente |
rda |
| Tipo de archivo |
text file |
| Formato de codificación |
PDF |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
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| Nota general |
FONDECYT 11100210. |
| 502 ## - NOTA DE TESIS |
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| Nota de tesis |
Licenciado en Ciencias con mención en Química. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. |
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| Sumario, etc. |
En la actualidad la fabricación de dispositivos en base a materiales semiconductores es una herramienta de gran expectativa para futuras tecnologías, siendo estos de gran interés en el desarrollo de nuevos métodos para la formación de nuevos dispositivos. Dentro de estas nuevas expectativas cabe mencionar la formación de dispositivos optoelectrónicos y fotovoltaicos [1]. Los métodos que existen para formar semiconductores generalmente conllevan un alto costo energético y monetario. Para el caso de la formación del compuesto que se ha estudiado en esta tesis, óxido de cinc (ZnO), no son fácilmente controlables en términos de estructura molecular, de volumen o capacidad de crecimiento adecuado como lo son deposición en fase vapor [2], deposición por pulso láser [3], deposición de vapor químico metal-orgánico [4], sputtering [5], entre otros. En este documento se presenta la electrodeposición catódica de películas de ZnO con dopaje extrínseco, técnica electroquímica empleada sólo desde pocas décadas. Este método resulta ventajoso por el bajo costo del equipamiento y la controlabilidad del proceso de crecimiento de la estructura, destacando que la influencia del dopante puede incrementar su conductividad eléctrica. A este compuesto semiconductor se le añadieron tres elementos del grupo IIIA de la tabla periódica: Aluminio (Al), Indio (In) y Galio (Ga) en forma separada. El estudio se realizó bajo un medio acuoso con temperatura, pH y concentración de todas las sustancias electroactivas controladas. El dopaje y crecimiento de películas de ZnO fue realizado a 80°C y -0,947 V y se utilizó como electrodo de trabajo FTO (óxido de estaño dopada con flúor, SnO2: F). Luego se realizaron una serie de caracterizaciones para determinar su morfología usando microscopía electrónica de barrido, su composición mediante análisis químico EDS, su comportamiento eléctrico (por medidas de capacidad que determinan el tipo y nivel de dopaje) y sus características cristalográficas (típicamente ZnO tiene una estructura de tipo wurcita, detectado mediante difracción de rayos x). |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
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| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
NANOESTRUCTURAS. |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
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| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
NANOTECNOLOGIA. |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
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| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
OXIDO DE CINC. |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
OXIDO DE ZINC. |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
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| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
SEMICONDUCTORES. |
| 710 0# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA |
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| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada |
Universidad de Valparaíso. |
| Unidad subordinada |
Facultad de Ciencias. |
| 800 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE--NOMBRE DE PERSONA |
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| Nombre de persona |
Ramírez Ruíz, Daniel, |
| 9 (RLIN) |
219406, |
| Término indicativo de función/relación |
Profesor guía. |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
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| Tipo de ítem Koha |
Tesis Pregrado |
| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Dewey Decimal Classification |
