Electrodeposición y caracterización de óxidos de cobre, indio y hierro en dimetil sulfóxido / Amelia Garmendia Olivares.

Por:

Garmendia Olivares, Amelia [author.]

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Tipo de material: Texto

TextoIdioma: Español Editor: Valparaíso, Chile : Universidad de Valparaíso, 2013Descripción: 79 hojasTema(s):

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Nota de disertación: Licenciado en Ciencias con mención en Química. Resumen: En este trabajo se realizó la electrodeposición y caracterización de óxidos metálicos M(I)2O (MI = Cu) y M(III)2O3 (MIII= Fe, In) desde soluciones de Cu(ClO4)2, InCl3 y FeCl3 sobre un sustrato de FTO, utilizando un solvente no acuoso DMSO (Dimetil-sulfóxido) y como precursor oxígeno molecular. La obtención de estos óxidos genera expectativas sobre la obtención de semiconductores transparentes del tipo-p con estructura delafosita CuM(III)O2 (M(III)= In, Fe), desde soluciones de DMSO por métodos electroquímicos. Lo anterior basado en que se lograron obtener películas finas por electrodeposición, las cuales son cristalinas en los casos de Cu2O y Fe2O3, este último sólo con tratamiento térmico. Los valores de band gap para ambos materiales concuerdan con los registrados en la bibliografía, donde los valores obtenidos para las películas de Cu2O son de transición directa alrededor de 2.25 eV y los obtenidos para las películas de α-Fe2O3 para transición directa 2.08 eV e indirecta 2.15 eV. El valor de nivel de dopaje en las películas de Cu2O a 50ºC es de 8.2x1018 cm–3 y para las obtenidas a 80ºC son de 2.0x1019 cm–3. El valor de portadores mayoritarios donantes de carga obtenidos para las películas de α-Fe2O3 son de 1.59 x 1019 cm-3. En el caso del In2O3, las películas formadas fueron extremadamente delgadas, por lo que no se logró una buena caracterización estructural, óptica y electroquímica.

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Tesis Pregrado	Ciencias Tesis	Tesis	M G2339e 2013	Disponible		00161418

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Financiamiento: FONDECYT 1110546.

Licenciado en Ciencias con mención en Química.

En este trabajo se realizó la electrodeposición y caracterización de óxidos metálicos M(I)2O (MI = Cu) y M(III)2O3 (MIII= Fe, In) desde soluciones de Cu(ClO4)2, InCl3 y FeCl3 sobre un sustrato de FTO, utilizando un solvente no acuoso DMSO (Dimetil-sulfóxido) y como precursor oxígeno molecular. La obtención de estos óxidos genera expectativas sobre la obtención de semiconductores transparentes del tipo-p con estructura delafosita CuM(III)O2 (M(III)= In, Fe), desde soluciones de DMSO por métodos electroquímicos. Lo anterior basado en que se lograron obtener películas finas por electrodeposición, las cuales son cristalinas en los casos de Cu2O y Fe2O3, este último sólo con tratamiento térmico. Los valores de band gap para ambos materiales concuerdan con los registrados en la bibliografía, donde los valores obtenidos para las películas de Cu2O son de transición directa alrededor de 2.25 eV y los obtenidos para las películas de α-Fe2O3 para transición directa 2.08 eV e indirecta 2.15 eV. El valor de nivel de dopaje en las películas de Cu2O a 50ºC es de 8.2x1018 cm–3 y para las obtenidas a 80ºC son de 2.0x1019 cm–3. El valor de portadores mayoritarios donantes de carga obtenidos para las películas de α-Fe2O3 son de 1.59 x 1019 cm-3. En el caso del In2O3, las películas formadas fueron extremadamente delgadas, por lo que no se logró una buena caracterización estructural, óptica y electroquímica.