Charged residues at the first transmembrane región mediate the voltage dependence of connexins slow gate / Ricardo Ismael Pinto Anwandter.
Tipo de material:
TextoIdioma: Inglés Editor: Valparaíso, Chile : Universidad de Valparaíso, 2016Descripción: 28 hojasTema(s): Otra clasificación: - M
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura topográfica | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems | |
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Tesis Postgrado
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Ciencias Tesis | Tesis | M P659ch 2016 | Disponible | 00405773 |
Total de reservas: 0
ANILLO: ACT1104.
FONDECYT 1110430.
FONDECYT 1120802.
FONDECYT 1130855.
FONDECYT 1150273.
Magíster en Ciencias Biológicas. Mención Neurociencia.