000			01798nam a2200301 i 4500
001			500000173
003			UVAL
005			20240507115302.0
007			ta
008			100609s esp g 000 0 spa d
040			_aDIBRA _bspa _cUVAL _erda
041	0		_aspa
084			_aM
100	0		_aGonzález Pérez, Vivian María, _eauthor.
245	1	0	_aContenidos de cargas en el segmento S4 del canal de potasio Shaker y su efecto sobre la sensibilidad al voltaje / _cVivian María González Pérez.
264		1	_aValparaíso, Chile : _bUniversidad de Valparaíso, _c2009.
300			_a83 hojas : _bilustraciones.
336			_atext _btxt _2rdacontent
337			_aunmediated _bn _2rdamedia
338			_avolume _bnc _2rdacarrier
502			_aDoctor en Ciencias con Mención Neurociencia.
520			_aLos canales de potasio activados por voltaje (Kv) son tetrámeros simétricos formados por 4 subunidades idénticas. Cada subunidad consta de 6 segmentos transmembranales helicoidales (S1-S6), agrupados en 2 dominios funcionales: el dominio sensor de voltaje (VSD), formado por los segmentos S1-S4 y el dominio del poro (PD), formado por los segmentos S5-S6. El PD da cuenta de las propiedades de conducción y selectividad iónica, mientras VSD es el responsable de la sensibilidad al voltaje que muestran estos canales. Ante una despolarización de la membrana, se produce un cambio conformacional en cada uno de los 4 VSD de la proteína, que posibilita la apertura de la vía de conducción iónica del canal.
650		4	_aCANALES DE POTASIO _948628.
650		4	_aMEMBRANA PLASMATICA _959261.
700	1		_aNaranjo Donoso, David, _eProfesor guía _9131054.
710	2		_aUniversidad de Valparaíso. _bFacultad de Ciencias. _bDepartamento de Neurociencia _9231296.
942			_c5 _2ddc
999			_c90447 _d90447