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003			UVAL
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040			_aDIBRA _bspa _cUVAL _erda
041	0		_aspa
084			_aM
100	0		_aGarín Correa, Carolina Paz, _eauthor.
245	1	0	_aUtilización de metalocenos para modificación superficial de p-Si (100) : _bestudio de sus propiedades como dispositivos de memoria / _cCarolina Paz Garín Correa.
264		1	_aValparaíso : _bUniversidad de Valparaíso, _c2010.
300			_a142 páginas.
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500			_aPrograma conjunto Universidad Técnica Federico Santa María y Universidad de Valparaíso. Doctorado en Ciencias, Mención Química.
502			_aDoctora en Ciencias, Mención Química.
520			_aEl presente trabajo, muestra los resultados obtenidos en la formación de monocapas autoensambladas de metalocenos con centros redox activsos sobre la superficie de p-silicio (100), como posible material en la elaboración de dispositivos almacenadores de memoria. Las variables consideradas son el metal utilizado en el centro redox, y el largo de la cadena alquílica de unión entre la superficie del semiconductor y la molécula organometálica. La unión del metaloceno a la superficie de silicio se realizó por la reacción de la superficie de Si-H con un haluro de alqueno activada por luz blanca, y la posterior reacción de esta superficie modificada con el correspondiente monolitio metaloceno. Para el desarrollo de este estudio se contempló la utilización de metalocenos como el ferroceno, y la síntesis de sus análosos rutenoceno y osmoceno, para un posterior tratamiento y modificación de la superficie de silicio.
650		0	_aBIOQUIMICA.
650		0	_aELECTROQUIMICA.
650		0	_aELEMENTOS QUIMICOS.
650		0	_aMETALOIDES.
650		0	_aQUIMICA.
650		0	_aQUIMICA BIOORGANOMETALICA.
650		0	_aQUIMICA ORGANOMETALICA.
650		0	_aSILICIO.
700	1		_aRiveros Patroni, Gonzalo A., _eProfesor guía _9158420.
710	2		_aUniversidad Católica de Valparaíso (Chile) _93212.
710	2		_aUniversidad Técnica Federico Santa María (Chile) _9203461.
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